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日本ガイシ株式会社 | 論文
- 光導波路への光結合 (特集 光通信システムの為の要素技術の現状(1))
- 光CATV加入者系双方向伝送用小型発受光結合素子(2)受信信号強度安定化
- 固相反応法によるフェライト単結晶の育成
- BSO単結晶の育成とその応用(機能素子・部品と単結晶育成)
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
- 111.窒素ガスプラズマを用いた滅菌,エンドトキシン不活化,素材ならびに機能適合性の確保(一般演題講演集,第83回日本医療機器学会大会)
- 111 窒素ガスプラズマを用いた滅菌,エンドトキシン不活化,素材ならびに機能適合性の確保(滅菌IV,医療機器の安全を支える人と情報技術-あすの病院経営・企業経営を探る-,第83回日本医療機器学会大会)
- 透光型吸音パネルの音響特性について
- 長期追跡健康診断データにおける遺伝・環境要因を用いた生活習慣病リスク決定法
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 石炭性状オンライン分析システムの開発
- 太陽エネルギーを利用した大気中のNOxの光触媒除去
- KLN系化合物薄膜結晶の作成及びその評価 : バルク成長III
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