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新日本無線株式会社技術開発本部 | 論文
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 大電流熱電子源
- 3)高性能ディスペンサーカソード(テレビジョン電子装置研究会(第142回))
- 高性能ディスペンサーカソード
- 2)含浸型カソードの概要と特性改良について(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- 含浸型カソードの概要と特性改良について(カソードの最近の進歩)
- 1.9GHz帯GaAsパワーアンプのCSP化
- 微細構造を有するタングステン層により電子放出面積を増大させたイリジウム被覆含浸型カソードの電子放出特性
- C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果 (電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御 (電子デバイス)
- ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
- スペクトル拡散通信におけるCCD相関器の検討
- スペクトル拡散通信におけるCCD相関器の検討
- C-10-9 炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層を用いたAlGaN/GaN HFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-8 ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN HFETにおける蓄積電荷の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)