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新日本無線株式会社技術開発本部 | 論文

• AlGaN/GaN HFETに対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• AlGaN/GaN HFET に対する炭素添加高抵抗化SiドープGaNバッファ層の効果

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