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工学院大学工学部電子工学科 | 論文
- CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- CS-MBD法によるGaN薄膜の製作におけるパルス状原料供給
- B-6-4 階層型Mobile IPv6におけるパケットロス低減のためのハンドオーバ方式選択手法の提案(B-6.ネットワークシステム,一般講演)
- 化合物原料分子線堆積法によるAlN薄膜の低温堆積(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-4-3 AlGaN多重量子井戸型レーザの深紫外域レーザ発振と光学異方特性 : 深紫外レーザ発振波長のどこから偏波特性は変わるのか?(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- 深紫外AlGaN多重量子井戸型半導体レーザー光の光学的異方特性
- Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-MBE法によるAl基板上低温堆積GaN薄膜の製作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- BGaN系紫外レーザの基礎検討
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