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大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター | 論文
- Ga1-xAlxNとZn1-xMgxOに関する第一原理計算を用いた分極状態の解析
- 高性能ZnO系FETの開発 : デバイス応用と高周波特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- GaAs(100)を基板としたInSb/CdTe単一量子井戸構造の分子線エピタキシャル成長
- (100)GaAs基板上に分子線エピタキシャル成長したCdTe薄膜の結晶性改善
- InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- InAs/AlGaSb極微構造におけるバリスティック電子輸送特性と整流効果(低次元電子輸送,量子効果デバイス及び関連技術)
- サブテラヘルツ波検出を目指したSb系ヘテロ構造ダイオードの高感度化への検討
- CdTe単結晶表面に対するプラズマエッチングとCd雰囲気中熱処理の効果
- 中赤外線発光素子用PbTe/CdTe量子井戸の分子線エピタキシャル成長とフォトルミネッセンス解析(半導体エレクトロニクス)
- シリコン基板を用いた単結晶酸化亜鉛薄膜の分子線エピタキシャル成長
- 分子線エピキシー法でGaAs(100)基板上に成長した高品質CdTe(100)薄膜と InSb/CdTeおよびPbTe/CdTeヘテロ接合
- GaAs(100)基盤を用いたPbTe/CdTeヘテロ構造の分子線エピタキシャル成長
- InAs微粒子をAlGaAs中に多重積層した自然形成量子構造の分子線エピタキシャル成長 : 多重積層InAs量子ドットのMBE成長
- Cd, Te 分子線で照射されたInSb基板表面における反応生成物
- AFM酸化を用いて作製したInAs表面反転層およびInAs/AlGaSb量子井戸ナノスケール開放型ドット中での電子波干渉効果(半導体エレクトロニクス)
- InAs系メゾ構造における電子波干渉効果(量子効果デバイス及び関連技術)
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- 29pYS-7 InAs系メゾ構造における電子波伝幡
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