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大阪工業大学ナノ材料マイクロデバイス研究センター | 論文
- InAs量子細線における磁気輸送特性
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- InAs/Al(Ga)Sbヘテロ構造の界面制御と光物性
- InAsヘテロ接合のMBE成長とデバイス応用
- 半導体超薄膜の成長と物性評価
- 1Pa-35 結合型振動子を用いた加速度センサの構成(ポスターセッション)
- 22pPSA-20 InAs/AlGaSb からのテラヘルツ電磁波放射
- スッパタリングによる(CdZn)S混晶半導体薄膜の特性
- スパッタリング法によるCdS/CuInSe_2ヘテロ接合の特性
- 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用
- ラザフォード後方散乱法および二次イオン質量分析法によるハライド系気相成長法で作製したBi系超伝導薄膜の組成分析
- Atomic Force Microscope(AFM)酸化プロセスによるInAsナノ・デバイスの作製と評価
- 分子線エピタキシャル成長によるIn系III-V族化合物半導体の自然形成量子ドット
- 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果
- 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの作製とバイオセンサへの応用
- 3Pb3-1 交差結合型振動子を用いた2軸加速度センサの構成(ポスターセッション)
- 3.高性能酸化亜鉛系FETと酸化物デバイス応用の広がり(ナノデバイス)
- 酸化亜鉛薄膜の放射線耐性 (特集 酸化物半導体の新しい応用展開 : 酸化亜鉛,酸化ガリウム,さらに新しい材料を求めて)
- CdTe障壁層中におけるPb1-xSnxTeナノドットの自己組織化とフォトルミネッセンス特性
- 室温プロセスによるフレキシブル基板上酸化亜鉛薄膜トランジスタの作製