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大阪大 大学院工学研究科 | 論文
- フェムト秒レーザによるタングステン表面のマイクロスパイクアレイ生成機構の解析
- フェムト秒レーザダブルパルスによるクロム薄膜アブレーション
- フェムト秒レーザダブルパルスによるクロム薄膜アブレーション(S55-2 レーザ加工(2),S55 レーザ加工)
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- エポキシ樹脂の極低温特性と微細構造
- A-11-9 超音波立体視センサの開発(A-11.超音波,一般講演)
- 507 敦煌における含水状態に着目した地盤比抵抗に関する研究(新生代の地層におけるロックメカニクスに関する諸問題II,新生代の地層におけるロックメカニクスに関する諸問題,オーガナイスドセッション5)
- CAESシャンペン現象の数値解析 : 第2報, 実機評価
- CAESシャンペン現象の数値解析 : (第1報, 解析モデルの開発と検証)
- メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- シリコン結晶成長プロセスシミュレーションに要求される熱物性値調査
- 超解像位相差電子顕微鏡とは
- 集束イオンビームを用いた電子光学系輪帯瞳用アパーチャの作製
- ウェットプロセスによるメタルゲートの光コロージョン(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 原子レベルで平坦な表面の創成技術
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