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大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻 | 論文
- 走査型トンネル顕微鏡による水素化アモルファスシリコン表面の構造解析
- 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2005)
- 数値制御プラズマ CVM(Chemical Vaporization Machining) によるSOIの薄膜化 : デバイス用基板としての加工面の評価
- モノメチルシラン(SiH_3CH_3)を用いた熱CVDによるシリコンカーバイド膜の作製
- 大気圧プラズマCVDによる高速形成したa-SiC薄膜の光学的特性
- SOI基板材料の品質評価と技術課題
- 方向安定化レーザービームを直線基準とした高精度形状測定
- MD/FEMハイブリッドモデルによる微小切削機構の解析
- ゲート電極材料のスパッタリング成膜時におけるゲート酸化膜へのダメージの評価
- ウルトラクリーン低温プロセスを用いた高信頼性タンタルゲート完全空乏化SOI MOSFET
- 文部省・COE「大阪大学・超精密加工研究拠点」の形成--ウルトラクリ-ンル-ム完成
- コールドサセプタを用いた高速選択タングステンCVDプロセス
- ウルトラクリーン酸化で形成した極薄ゲート酸化膜のホットキャリア耐性
- 超平坦化加工を施した4H-SiC(0001)表面 : 高品質グラフェン作製への応用
- 21pXF-14 Etching Surfaces of Ferromagnetic Materials : Ab-Initio Based Process Design and Realization
- 近接場ラマン顕微鏡によるナノメートル観察
- 第一原理計算に基づく反応性イオンエッチングプロセスの設計 : 始めの一歩
- 29pPSB-67 第一原理計算によるReRAMの材料選定における評価の枠組み(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-16 Pd合金表面及び表面内部における水素原子の挙動II(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pWH-11 Pd表面およびPdAg合金表面における水素原子の振る舞い(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)