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大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻 | 論文
- 触覚センサアレイを用いたHMMによる把持面状態の識別手法(感性情報処理とマルチメディア技術および一般)
- Hf(O-t-C_4H_9)_4を用いた光アシストMOCVDによるHfO_2薄膜の作製と評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- MEMS技術を用いた次世代ロボット用多軸触覚センサの作製(センサーデバイス,MEMS,一般)
- HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- F_2表面処理したHfO_2/Ge MIS構造の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- NiCr薄膜歪みゲージによるポリマー/Siカンチレバー型多軸触覚センサの高分解能化
- 適度な傾斜形状を有するCr/Siマイクロカンチレバー構造を用いた多軸触覚センサの作製と評価
- 磁気ディスク媒体の磁化回転分布評価と熱揺らぎ減磁過程
- オフトラックノイズ特性に及ぼす記録ヘッドの影響
- Co系薄膜媒体のオフトラックノイズ特性
- 空中用の静電容量型マイクロ超音波センサの電気機械的特性
- PRSによるHigh-kゲート絶縁膜中の固定電荷の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- ESRによるHfO_2薄膜の欠陥評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- PLDにより製膜したHf酸化物の界面評価(半導体Si及び関連材料・評価)
- 28.固体ハロゲンの圧力誘起分子解離相転移(大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻,修士論文題目・アブストラクト(1989年度))
- 10.Al合金におけるガスイオン照射誘起偏析、析出の研究(大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻,修士論文題目・アブストラクト(1989年度))
- 3方向カンチレバーを用いた多軸触覚センサの作製と基礎特性
- BaTiO_3およびPbTiO_3の自発分極の結晶異方性と単位胞体積依存性の第一原理解析(半導体エレクトロニクス)
- 15.ハロゲン架橋金属錯体における非線形励起状態と光吸収スペクトル(大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻,修士論文題目・アブストラクト(1989年度))
- 6.Auger中性化過程の高次摂動項(大阪大学大学院基礎工学研究科物理系専攻,修士論文題目・アブストラクト(1988年度))
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