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大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域 | 論文
- HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- F_2表面処理したHfO_2/Ge MIS構造の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- PLDにより製膜したHf酸化物の界面評価(半導体Si及び関連材料・評価)
- 強誘電体薄膜研究の最近の展開
- 強誘電体薄膜の分極反転ダイナミクス : 格子モデルを用いた分極反転機構の現象論的解析
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体と電気光学結晶との反応性(セラミック材料小特集号)
- 負バイアス印加PLD法による(La, Sr)MnO_3薄膜の粒径制御
- ステップエッジ(100) GaAs 基板上に成長させた(La,Sr)MnO_3ティルティド・ナノコラム・バウンダリの磁気抵抗効果
- 3. アブレーションプラズマ生成・制御1(レーザー) (アブレーションプラズマのプロセス応用)
- SQUIDを用いたリモートNDE(SQUID,一般)
- High-T_c SQUID を用いた金属クラックの検出
- 次世代エレクトロニクスデバイスのブレークスルーは何か?
- 表面窒化SiO_2バッファ層を有するMFIS構造(新型不揮発性メモリ)
- 表面窒化SiO_2バッファ層を有するMFIS構造
- ダイヤモンド薄膜表面のカソードルミネッセンスによる評価
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- XeアシストMPCVDを用いたダイヤモンド薄膜成長
- 紀伊水道直流送電プロジェクト
- 高温超伝導エレクトロニクスの最近の動向
- 研究開発情報 酸化物半導体の新しい薄膜作製法