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名城大学理工学研究科 | 論文
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- LK-004 運転行動信号に含まれる個人性に関する検討(K. ヒューマンコミュニケーション&インタラクション)
- 指向性マイクロホンを用いた波面合成法における波面合成精度
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOVPE法によるR面サファイア上GaNの高速成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- サファイアR面基板上低転位GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
- M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
- InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
- Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
- 151 ガス軟窒化をしたSCM420鋼の回転曲げ疲労強度特性と化合物層の影響(GS1-1 疲労特性評価の最前線)
- ビアプログラマブルデバイスに最適な基本論理ゲートアーキテクチャの検討(プログラマブルデバイスと設計技術,システムオンシリコンを支える設計技術)
- ビアプログラマブルデバイスVPEXのロジックアレイブロックと配線アーキテクチャの検討(プログラマブルデバイスと設計技術,システムオンシリコンを支える設計技術)
- 気相成長
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- MOVPE-GaN上にフラックス法で成長させたGaNの微細構造・光学的特性およびその上にMOVPEで成長させたGaNの微細構造・光学的特性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 瞳孔径挙動による酒気帯び状態の検知可能性(一般セッション,映像ハンドリング技術とその応用)
- 瞳孔径挙動による酒気帯び状態の検知可能性(一般セッション,映像ハンドリング技術とその応用)
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