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名城大学理工学研究科 | 論文
- TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
- AlN基板上のAlGaNチャネルHEMT (電子デバイス)
- A-17-25 動物体の撮像方法と道路案内標示板撮像への適用
- 端末移動時におけるパケットロスレスハンドオーバの提案(MBL-3【モバイルネットワーク】)
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- 蛍光SiC結晶の光学特性--超高光束白色LEDのキーテクノロジー
- タフトライド処理を施した球状黒鉛鋳鉄および片状黒鉛鋳鉄の耐久限度線図
- 様々な基板上への紫外発光素子の作製と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- 顕微ラマン分光法によるNITRIDE-LEDの微細領域での温度分布解析(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 微粒子衝突処理における圧縮性流体下の粒子速度に関する数値解析(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
- ドライバ状態における対光反射特性の特性検討(ITSポジショニング,一般)
- ビアプログラマブルデバイスVPEXの配線遅延評価(プログラマブルデバイスと設計技術,システムオンシリコンを支える設計技術)
- 高品質分析合成のための有声音の非周期成分の表現と推定について(聴覚・音声・言語とその障害,一般)
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