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名城大・理工 | 論文
- 電子回折の演示実験装置
- SiC超微粒子の合成と高圧焼結
- 12p-N-3 微粒子線の実験I. : 粒子速度の測定
- 31a-U-2 メタンガス中での蒸発によるSiC超微粒子の作成II
- ガス蒸発法における蒸発効率の測定
- 4a-C-12 低圧メタンガス流中でのSiC超微粒子の作成
- 29p-T-9 Zn Cd Sb及びBi超微粒子の晶癖
- 4p-N-1 ガス蒸発法で作成したSiC超微粒子
- ガス蒸発法によるSiC超微粒子の作成
- 8a-H-8 Zn微粒子の晶癖
- SiC表面分解法におけるカーボンナノチューブ選択成長--高融点金属マスクを用いたパターニングの試み
- 表面分解法によるSiC単結晶表面からのカーボンナノチューブ生成--カーボンナノチューブと半導体の融合に向けて
- 02aB02 マイクロチャンネルエピタキシーによるAlGaAs横方向成長に関する研究(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 02aB01 GaAsマイクチャンネルエピタキシーにおける"浮き上がり"効果に与えるSiO_2マスク作製方法の影響(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
- 走査トンネル顕微鏡を用いたナノリソグラフィーのシミュレーション--シミュレーションプログラムの開発
- 17aB01 GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)
- GaAs MCEにおける横方向成長層の"浮き上がり"に関する研究
- 25aC01 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)
- MBE成長AlGaAs系材料への酸素混入のメカニズム : エピキタシャル成長I
- リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I