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名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター | 論文
- Boron and phosphorus electronic doping of amorphous carbon by pulsed laser deposition using graphite target
- Studies on transparent semiconducting cuI films deposited by XeCl excimer laser and fabrication of p-CuI|n-TiO2 solar cells
- エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
- Structural and electrical properties aof amorphous Carbon Nitride films from camphoric Carbon
- Diamond-like Carbon thin films deposited in ambient Helium gas : structural and electrical properties
- C-10-4 水素系プラズマ処理によるSi上GaAs層のパッシベーション効果
- C-6-12 MOCVD法により成長したSi基板上InGapの特性改善
- 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果
- 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベーション効果
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
- CS-9-4 リセスゲート構造を有するLT-GaN/AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
- 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))