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名古屋大学大学院工学研究科赤崎記念研究センター | 論文

• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN系紫外発光素子の通電特性 : UV-LEDの劣化メカニズム(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RF-MBE法による(111)Si基板上へのInGaNナノワイヤ成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• (1-101)GaN/Si上InGaN厚膜のMOVPE成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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