スポンサーリンク
原子力研究開発機構 | 論文
- SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 震源断層となりうる活断層とリニアメントの検討--中国地方を事例として
- 室温および高温下における2.25Cr-1Mo鋼の超高サイクル疲労寿命特性(高温強度)
- 31a-E-8 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(III)
- 液体金属中のキャビテーション壊食に及ぼす液体パラメータの影響
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 六方晶炭化珪素半導体MOS構造のγ線照射効果 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 23pRH-3 水素化アモルファスシリコン半導体の放射線誘起電気伝導(23pRH 放射線物理(イオンビーム照射効果・阻止能),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 利根川支流,鏑川流域における飯縄火山起源の中期更新世テフラ
- 2E-9 電子線照射LiNbO_3単結晶基板の評価(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)