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半導体理工学研究センター | 論文
- 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイム バルクCMOS 8T SRAM(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
- 起動回路に向けた基板順バイアス型0.18-V入力チャージポンプ回路(学生・若手研究会)
- 27pPSA-7 高分解能角度分解光電子分光による高不純物濃度Pb/Si(001)のホールサブバンド測定(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ナノメータSoC開発のためのプロセスフレンドリ設計技術
- 25aTH-1 角度分解光電子分光を用いた高濃度不純物ドープSi(111)上における空間電荷層中のバレンスサブバンド準位の解明(25aTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- AK-2-3 回路シミュレータ(AK-2.SoCを支える最新EDA技術,ソサイエティ特別企画,ソサイエティ企画)
- 22pRC-9 歪みシリコンの価電子帯分散構造の実験的解明(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pRC-10 高温熱処理が空間電荷層中の電子状態に及ぼす影響(22pRC 表面界面電子物性(表面伝導・光電子分光),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- シグマデルタ型タイムデジタイザ回路の検討
- 0.5V入力、効率96%のゲートブースト方式チャージポンプ回路の実証
- インターリーブを用いた低歪み2トーン信号発生技術
- 招待講演 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 (集積回路)
- C-12-65 315MHz低出力F級パワーアンプにおけるデュアル電源電圧による高効率化(C-12.集積回路,一般セッション)
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