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半導体理工学研究センター | 論文
- C-12-64 0.55V水晶発振回路におけるCMOSインバータの多段化による40%の低電力化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-42 超低電力オペアンプの高速化技術(C-12.集積回路,一般セッション)
- 低歪み信号発生用DA変換器アーキテクチャ
- 低電圧・極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 低電圧・極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価
- 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- "復興"メモリと日本の明日に向かって(パネル討論,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
- C-12-28 局所ゲート昇圧による入力電圧0.6Vのパックコンパータの効率向上(電源回路,C-12. 集積回路,一般セッション)
- C-12-18 適応バイアス技術を用いた超低電力CMOSオペアンプの評価(アナログ回路枝術,C-12. 集積回路,一般セッション)
- 38μW間欠サンプリング受信回路と52μWF級送信回路を備えたオール0.5V動作1Mbps, 315MHz帯無線トランシーバ(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 38μW間欠サンプリング受信回路と52μWF級送信回路を備えたオール0.5V動作1Mbps, 315MHz帯無線トランシーバ(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 局所電子注入非対称パスゲートトランジスタを有する6T-SRAMのためのしきい値電圧付近ワード線電圧注入法によるしきい値電圧ばらつきの自己収束
- デュアル電源電圧方式による315MHz帯無線送信回路の高効率化
- センサネット向けサブ50μW,0.5V動作315MHz帯トランシーバ回路
- 自動パワーゲーティングと多段インバータを用いた0.7V、9.2μW、39MHz水晶発振回路(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 38μW間欠サンプリング受信回路と52μWF級送信回路を備えたオール0.5V動作1Mbps,315MHz帯無線トランシーバ
- 38μW間欠サンプリング受信回路と52μWF級送信回路を備えたオール0.5V動作1Mbps,315MHz帯無線トランシーバ
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