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北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジセンター | 論文
- 27pTX-8 大きいスピン軌道相互作用を示す高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガスの異方的面内伝導(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-7 高In組成InGaAs/IhAlAs逆ヘテロ接合におけるRashba効果のInAlAs cap依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pYK-6 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるRashba効果の界面歪み依存性(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ接合のMBE成長と蓄積2次元電子ガスのスピン軌道相互作用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 21pWF-1 Rashbaスピン工学への実験的アプローチ(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aZK-9 Ni エミッタ、非対称量子井戸をもつ共鳴トンネル構造における電流ピーク分裂と振動
- 26aHD-9 温度変化磁気抵抗によるInGaAs/InAlAs2層2次元電子ガス系サブバンド構造の解析(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aHD-8 CoFe電極を用いた高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入実験(26aHD 微小接合・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-7 非局所配置による高In組成InGaAs-2次元電子系へのスピン注入検証(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-10 InGaAs 2次元電子系のテラヘルツサイクロトロン共鳴(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTL-9 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス2層系の層毎のスピン軌道相互作用と電子有効質量の解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス2層系のサブバンド構造とスピン軌道相互作用の解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- III-V化合物半導体を用い歪み駆動自己変形プロセスで作製した微小な円弧型カンチレバーの弾性測定(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 27aCE-7 非局所配置によるInGaAs-二次元電子系へのスピン注入検証(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aCE-9 強いRashba効果を示すInGaAs2次元電子ガス2層系のサブバンド輸送特性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-1 InGaAs/InAlAs量子井戸におけるサイクロトロン共鳴(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-6 GaAs(110)上の選択成長により形成したInAsナノワイヤの電子輸送特性(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-3 強磁性電極/高In組成InGaAs-2次元電子系接合における非局所スピン注入のゲート電圧依存性(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pFB-2 高In組成InGaAs2次元電子ガス2層系のトップゲート制御(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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