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北陸先端大 | 論文
- Cat-CVD法による窒化シリコン薄膜の低温堆積 : 気相診断と膜質評価(半導体エレクトロニクス)
- 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- CS-5-7 Cat-CVD法により作製した窒化シリコン膜の特性とデバイス応用(CS-5.ナノスケール時代を迎えた薄膜電子材料の展開,エレクトロニクス2)
- Cat-CVD 法によるガスバリア膜の低温形成
- Cat-CVD法の包装用ガスバリアフィルム製造工程への適用 (特集 マーケット創出の成否を決する次世代パッケージング) -- (未来のマーケットを支える技術と商品開発)
- ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
- 加熱触媒体により発生させた水素原子によるプラズマレス・レジスト剥離技術(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cat-CVD法により形成したSiNx膜の応力制御(S05-3 薄膜の強度物性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- Cat-CVD法で作製したSiN_x膜のGaAsトランジスタ保護膜への応用(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- Cat-CVD技術の現状と将来展望 : 気相診断からデバイス応用まで
- Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- Cat-CVD法によるアモルファスシリコン太陽電池の作製
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- [招待論文]Cat-CVD a-Si:H膜のレーザアニール特性とpoly-Si TFTの作製(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 28aZK-5 層状ワイドギャップ半導体 (LaO) CuS のフォトルミネッセンス
- 28aZK-4 オキシサルファイド (LaO) CuS における S サイト置換効果
- GdNiSnの磁場誘気起相転移と磁気抵抗
- 29a-PS-60 反強磁性単結晶基板に蒸着した磁性金属薄膜の磁性と伝導特性
- 8p-C-9 水素結合型分子性導体[Pd(H_2EDAG)(HEDAG)]TCNQの低温X線構造解析