スポンサーリンク
北陸先端大ナノセ | 論文
- 23aHW-5 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴II(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-4 InGaAs2次元電子ガス系新構造におけるスピン注入(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHW-3 ダブルドープした高In組成InGaAs/InAlAsヘテロ構造の電子輸送特性(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aXG-6 InGaAs 2次元電子系のミリ波サイクロトロン共鳴(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXG-5 Rashba効果を示すInGaAs/InAlAs 2次元電子ガスの強磁場下磁気抵抗(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 20aTA-13 InGaSb/InAlSbヘテロ接合のマイクロ波および遠赤外光伝導(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pXB-11 傾斜磁場を用いたInGaSb-2DEGのスピン分裂の評価とその起源(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pXB-10 浅いInGaAs/InAlAs逆HEMT構造におけるゼロ磁場スピン軌道相互作用(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-68 InGaSb/InAlSbヘテロ接合中の2次元電子の遠赤外磁気光吸収(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-6 浅いIn_Ga_As/In_Al_As逆HEMT構造におけるRashbaスピン軌道相互作用(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-8 高In組成InGaSb/InAlSb系2DEGにおけるスピン分裂(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-7 高In組成InGaAs/InA1Asヘテロ接合細線におけるRashba相互作用のサイドゲートによる制御(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 化合物半導体の先端研究動向 (特集1 化合物半導体の開発・応用動向)
- 27aYS-2 In_Ga_As/In_Al_As2次元電子ガスにおけるスピン分裂の磁場依存性
- 27aYS-1 NiFe-In_ Ga_ As/In_ Al_ As界面におけるスピン注入
- 23pSA-1 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子ガス系のスピン分裂におけるヘテロ界面依存性
- 23pL-11 In_Ga_As/In_Al_Asヘテロ接合2次元電子ガスの有効g値
- 23pL-10 In(0.75)Ga(0.25)As/In(0.75)Al(0.25)As順方向2次元電子ガスにおけるスピン軌道結合定数のゲート電圧依存性
- 27pD-3 高In組成InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス系のスピン分裂の異方性
スポンサーリンク