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北陸先端大ナノセ | 論文
- 27pD-2 共鳴トンネル構造によるIn_xGa_As(x≥0.5)におけるスピン分離の観測
- 30p-ZE-14 高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系のスピン分裂
- 29p-ZE-2 強磁性体電極InGaAs/InAlAs FETの基本特性
- GdNiSnの磁場誘気起相転移と磁気抵抗
- 27pYB-10 Pt超微粒子の粒径依存ESR
- 27pYB-9 ESRによるナノ微粒子Pd/Niの表面と内部の磁性研究
- 22pYD-1 Pt微粒子のESR
- 22pYB-12 白金微粒子の磁化の粒径依存性
- 21aYC-7 狭ギャップヘテロ接合2次元電子ガスチャネルにおけるRashbaスピン軌道相互作用のサイドゲート制御(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13aYB-8 NiFe/InGaAs 接合を有する二端子素子のスピン伝導特性(半導体スピン物性, 領域 4)
- 13aYB-5 サイドゲートを用いた高 In 組成 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるスピン-軌道相互作用の制御(半導体スピン物性, 領域 4)
- 20pTL-4 InAs/In_Al_As 変調ドープヘテロ構造を利用した NiFe/2DEG 接合のスピン伝導特性
- 20pTL-3 高 In 組成 InGaAs/InAlAs 拡散的細線における Rashba effect
- 28aZK-8 In_Ga_As/In_Al_As ヘテロ接合擬一次元構造におけるスピン依存伝導
- 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
- 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
- 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
- 19aTA-3 低磁場下におけるInGaAs/InAlAsヘテロ接合のマイクロ波光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aYC-9 InGaAs/InAlAsおよびGaAs/AlGaAsヘテロ接合におけるマイクロ波誘起磁気振動(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 31a-N-5 微小ホールをもつ量子細線におけるコンダクタンススイッチング