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北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
- AlGaN/GaN HEMTにおけるゲートラグ現象の解析
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノメートルゲートAlGaN/GaN HFETにおける相互コンダクタンスのゲート長依存性劣化に関する検討(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 新しいゲート構造を有する化合物半導体単電子デバイスの製作と評価
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- インジウムリン系材料への新しいゲート技術
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