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北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- GaN MlS界面構造の評価
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)