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北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻 | 論文
- MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
- MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
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- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
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- モダニズムとアメリカ演劇
- マイノリティ論と言語文化政策 : アメリカの二言語使用教育をめぐって
- 第4章: アメリカン・アイデンティティ覚え書
- 序章: いま、なぜナショナル・アイデンティティか
- 超高真空対応非接触容量-電圧法による水素終端Si表面の評価