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北大触媒研 | 論文
- 原子レベルで急峻な界面構造と電子状態 : SiC上の絶縁性SiON超薄膜(最近の研究から)
- 25pYF-8 表面、界面の元素選択電子状態 : SiON/SiC(0001)(X線発光分光の飛躍的発展〜強相関から溶液まで〜,領域5シンポジウム,領域5,光物性)
- 23aXA-9 SiON/SiC(0001)表面での電子状態の深さ依存性とその起源(23aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pPSA-8 軟X線吸収・発光分光法によるSiON/SiC(0001)のバンドオフセット構造の研究(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 微傾斜SiC(0001)表面上の酸窒化シリコン薄膜の作製と低速電子回折による構造解析
- 22pPSA-101 微傾斜SiC(0001)表面上に形成する周期的ナノファセット構造(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pTG-3 光電子分光によるTl/Si(111)-(1×1)(√3×√3)転移の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pTD-5 軟X線吸収及び発光分光法によるSiON/SiC(0001)超薄膜の元素選択的電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 6a-T-6 シリコン上のアルカリ吸着とモンテカルロシミュレーション
- 6a-T-5 FI-STMおよびLEEDによるSi(001)2x1-Liの研究
- 3a-T-7 Si(001)のLEED : ストリーク・パターン
- 4a-B4-5 金属(M)/Si(111)系の室温界面反応 : M-Si接合
- 30a-D-12 Au-Si(111)系の表面電子状態
- 29a-D-6 Si(001)の角度分解光電子分光
- 29a-D-5 Si(001)面からの二次電子放出
- 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
- 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
- 4a-E-5 Si(111)2×1上のCs吸着状態
- 24pPSA-18 タングステン針先構造の電界イオン顕微鏡と電流-電圧特性による評価(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
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