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北大触媒研 | 論文
- 24pPSA-19 電界放出電子を用いた低速電子回折装置の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 新結晶・新物質 SiC上の結晶化SiON超薄膜
- 22pPSA-91 Cu(001)表面へのCa吸着により形成する(4×4)構造のLEEDによる決定(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXJ-7 LEED,STM,ARPESによるSi(111)-√×√R30°-Mnの研究(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 25pPSB-6 酸素処理によるタングステン針からの低バイアス電子放出(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 2a-RJ-9 K/Cu(100)の角度分解型SOR光電子分光
- 担持酸化モリブデン触媒上でのオレフィンメタセシス反応(予稿) (〔触媒学会〕第44回触媒討論会特集号)
- 硫化処理コバルトの水素化および異性化触媒特性
- CoS上でのHydrogen transfer reaction-予- (触媒討論会特集号)
- 11a-J-1 酸素分子とエチレンのコンプトン・プロフィール計算
- 固体表面層の相転移の動的観察
- 28p-WB-6 Si(111)7x7 表面でのホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の初期異常の原因の考察
- 原子レベルでのステップ成長機構 : Si(111)7×7の場合 : 基礎IV
- 25aYH-6 電子線照射によるSn/Ge(111)-3×3表面構造の変化(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27aTE-2 MnSiのSi(111)上でのエピタキシャル成長モードと表面形態(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pXF-8 Cu(001)表面上のMnとBi共吸着構造のLEEDによる解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aPS-139 電界放出電子による表面への電子線照射と散乱パターンの検出(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 29aZF-3 Si(111)-(1×1)-T1 の構造と電子状態
- 28pPSB-30 走査トンネル顕微鏡探針を用いた低速電子回折装置の開発 II
- 走査トンネル顕微鏡による表面シリサイド形成初期過程の観察:Si(111)7×7上のBa吸着による(3×1)構造
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