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住友電気工業株式会社 半導体技術研究所 | 論文
- 半極性{202^^-1}面GaN基板上緑色レーザ
- ZnSe系発光ダイオードの開発
- B-2 超音波共鳴スペクトロスコピーによるCVDダイヤモンド薄膜の弾性定数測定(材料・計測,口頭発表)
- 窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- 長寿命ZnSe白色LEDの開発
- 最近のZnSe単結晶成長の進展と応用(バルク成長シンポジウム)
- 半極性{2021}面GaN基板上緑色レーザーの開発
- {2021}半極性GaN基板を用いた緑色レーザ (特集 開発が加速する半導体レーザーとレーザーディスプレイ)
- 03aA04 化合物半導体バルク結晶成長技術の現状と将来(バルク成長シンポジウム(2),第36回結晶成長国内会議)
- 01aA14 昇華法による高品質1インチAlN単結晶の成長(半導体バルク(3),第36回結晶成長国内会議)
- 縦型ボート法で成長した大口径低転位密度GaAs単結晶(バルク成長分科会特集 : 種結晶(核)からの結晶成長制御について)
- 6インチ径VB-GaAs基板の開発
- VCZ法によるGaAs単結晶の成長(バルク結晶の成長(II))
- 27aA3 VCZ法による化合物半導体結晶の育成(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- GaAs単結晶成長への磁場印加の効果(バルク成長)
- 半極性{2021}面GaN基板上緑色レーザーの開発
- 長寿命ZnSe白色LEDの開発
- ダイヤモンド SAW デバイス
- 高調波を用いたSiO2/ZnO/ダイヤモンド構造による10GHzSAWフィルタ