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住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所 | 論文
- 27aZC-4 GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造の光学特性に対するSbの界面添加効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-5 GaInNAs/GaAs 単一量子井戸構造の光学特性に対する窒素混晶化効果(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 20pTH-13 GaInNAs/GaAs 量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する局在効果
- 高出力電界効果トランジスタの最近の動向
- 6-10 CS/Cトランスモジュレータの開発
- Single Package型一心双方向デバイスの開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- 情報通信 超小型一心双方向デバイスの開発
- ファイバグレーティングを用いた外部共振器レーザの数値解析
- インサート成型リードフレームを用いたトランスファモールド型光送受信モジュール
- 端面発光型AlGaInAsレーザの端面温度低減技術(光部品の実装・信頼性、一般)
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- C-4-18 Single Package型一心双方向デバイスの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1-PKG型Bi-Dモジュールにおける樹脂固定技術の開発(光部品の実装・信頼性,一般)
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