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住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所 | 論文
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- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
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- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 1.9GHz帯パワーアンプモジュール
- パルスドープMESFETを用いた1.5GHz帯パワーアンプモジュール
- 800MHz帯携帯電話レピータ用パワーアンプ
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- 広帯域アナログ光受信器の開発(3) : 光受信器
- InP系受信OEIC
- Heroepitaxy and Strained-Layer Superlattice(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- ファイバアンプ用励起光源
- 4ch一心双方向光トランシーバモジュールの開発(光部品の実装,信頼性)
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- C-3-63 小型セラミックパッケージを用いた直接変調TOSAの開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)