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三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部 | 論文
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- 12 GHz帯内部整合高出力高効率HEMT
- 結合線路によりインピーダンス整合したミリ波帯MMIC増幅器
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- ディジタル可変遅延マクロセル搭載可能GaAs 100K gateゲートアレイ
- Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- AlGaAs/InGaAsダブルヘテロHEMTを用いた高出力60GHz・70GHz帯モノリシック発振器
- レジスティブミクサの動作解析
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- モノリシック発振器における位相雑音のドレイン電圧依存性に関する一考察
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- V帯モノリシックドレインミクサ
- AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
- 980nmポンプレーザの波長変化抑制 : メトロネットワーク用980nmポンプレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- 10Gbps-80km伝送用高光出力・低チャープEAM-LD(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
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