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三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- 12 GHz帯内部整合高出力高効率HEMT
- HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール
- 60GHz帯高出力PHEMT
- GaAsプレーナー形ショットキーダイオードのエレクトロマイグレーション耐性
- U帯高出力HEMT
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長
- ソースインダクタ装荷多段雑音整合増幅器のソースインダクタ値の決定法及びKa帯低雑音MMIC増幅器への応用
- C-2-39 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
- C-2-44 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ka帯低雑音低反射MMIC増幅器
- 1.4W, K帯小型モノリシック電力増幅器
- Ka帯中出力PHEMT MMIC増幅器
- AlGaAs/InGaAsダブルヘテロHEMTを用いた高出力60GHz・70GHz帯モノリシック発振器
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-8 低レファレンス電圧動作HBT電力増幅器の利得・位相特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)