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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- C-4-3 引張り歪非対称量子井戸構造43Gbit/sEA変調器集積DFB-LDの40℃動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 11.1Gbps-80km伝送用セミクールドEAM-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの劣化メカニズム(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 基本波および高調波終端負荷を最適化した低位相雑音77GHz MMIC VCO(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-4-9 高出力擬似回折限界テーパ型レーザ増幅器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- テーパ型レーザ増幅器と光ファイバ回折格子制御レーザによるハイブリッド・MOPAの1064nm高出力動作(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- スパイラル形結合線路を用いた並列接続形マーチャントバランと広帯域MMIC FETレジスティブリングミクサへの適用(能動回路関連,マイクロ波・ミリ波平面回路とその関連技術論文)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- C-10-18 Ku帯用高出力内部整合型Hetero-structure FET(C-10.電子デバイス)
- C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- 携帯端末基地局用100W出力HFET
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- 12 GHz帯内部整合高出力高効率HEMT
- 結合線路によりインピーダンス整合したミリ波帯MMIC増幅器
- AlGaAs/InGaAs HEMTを用いた10Gb/s EA変調器ドライバIC
- HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール
- 60GHz帯高出力PHEMT
- InP HEMTを用いた低局発電力駆動V帯モノリシックResistiveミクサ
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