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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- GaAsプレーナー形ショットキーダイオードのエレクトロマイグレーション耐性
- U帯高出力HEMT
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路(マイクロ波電力応用/一般)
- 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路
- C-2-23 共振抑圧機能を有するK帯4bit可変遅延線路
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 光バーストルータープロトタイプにおける40/10Gbpsビットレート無依存スイッチングおよび波長変換による衝突回避の実証
- 高効率・高出力GaN系半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- マイクロプロジェクター用638nm単一横モードLD(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-16 10Gbps-80km光トランシーバ用高光出力・低チャープEAM-LD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- FET可変Q共振器を用いた定位相温度補償減衰器(マイクロ波一般,マイクロ波シミュレータ/一般)
- C-2-7 Ka帯オープン/ショートスタブ切替型T/Rスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-8 FET可変Q共振器を用いた振幅/位相温度補償減衰器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- All-Pass回路を用いた超小型C帯5ビットMMIC移相器(サブミリ波技術/マイクロ波電力応用/一般)
- All-Pass 回路を用いた超小型C帯5ビットMMIC移相器
- C-2-26 広帯域All-Pass型S帯5ビットMMIC移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- C-2-34 All-Pass回路を用いた小型C帯5ビットMMIC移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
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