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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- C-2-12 変成回路を備えたSeries-Shunt/Shunt併用形広帯域・高耐電力GaN T/R スイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-14 小形・広帯域Bridged-T形移相回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 計測器向け7.0ps分解能GaAsディジタル可変遅延マクロセル
- メッシュ状エアブリッジを用いたディジタル可変遅延マクロセル搭載GaAs 100Kgatesゲートアレイ
- ディジタル可変遅延マクロセル搭載可能GaAs 100K gateゲートアレイ
- 超広帯域L/C切換反射回路MMIC実装型S帯5ビットマルチチップ移相器
- C-2-1 L/C切換回路を用いたS帯マルチチップ5ビット反射型移相器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- 低損失・定位相Ku帯6ビットMMIC可変減衰器(可変回路)(超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
- Ku帯小型5ビットMMIC移相器
- C-2-7 π型移相器回路を用いた Ku 帯小型 5 ビット MMIC 移相器
- 自己切替フィルタを用いたKu帯5bit移相器
- C-2-6 LC並列共振回路を用いた低位相変化アナログFET可変減衰器
- 容量装荷による直並列型FET-SPDTスイッチの高アイソレーション化
- 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC
- C-2-20 直列並列回路切替方式反射型90゜移相器の広帯域化
- C-2-17 反射防止FET装荷型スイッチを用いたKa帯4bit可変遅延線路
- 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
- C-2-24 Ku帯6ビットMMIC可変減衰器
- C-2-22 Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
- Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器