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三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 | 論文
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- CS-4-1 反射波注入法を用いた周波数可変増幅器の広帯域化(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-3-42 4チャネルWDM DEMUXを内蔵した100Gbpsイーサネット用光受信モジュールの開発(光インターコネクション・光モジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 多層反射膜/半絶縁性InP窓層プレーナ型PDの低歪特性
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 半絶縁性 InP 窓層/多層反射膜を有するプレーナ構造高速 InGaAs-PD
- 半絶縁性InP窓層/多層反射膜付プレーナ型PDの暗電流特性
- 10Gbpsプラガブル光送受信器の熱設計(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 10Gbpsプラガブル光送受信器の熱設計(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 10Gbpsプラガブル光送受信器の熱設計(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 10Gbpsプラガブル光送受信器の熱設計(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- B-10-46 キャリア検出方式光受信断回路を内蔵した 10Gbit/s AGCIC の開発
- C-2-28 オープン/ショート切替スタブを有する帯域切替形広帯域低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 1.75GHz高出力MOSFETの高効率化
- 記録型DVD用高出力赤色半導体レーザ (特集:青紫色〜近赤外域半導体レーザの最新動向)
- 2.4Gbit/sEA変調器集積LD光送受信器モジュール
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