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三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 | 論文
- [招待論文]1.3μmアングールドDFBレーザにおける10Gb/s動作へのアプローチ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 埋め込みPHS構造を用いたX帯動作高出力MMIC増幅器 (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- X帯14W高効率内部整合HFET(マイクロ波,超伝導)
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- C-2-40 X帯14W高効率内部整合HFET(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 100Gbpsイーサネット用光受信モジュールにおける4ch波長分離光学系の開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
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- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25 / 43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変換器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-14-9 高RF出力同軸型PDモジュール(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-19 高RF出力InGaAs/InP pin-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
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