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三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 | 論文
- フリップチップ実装用40Gbps導波路型PD(光・電子デバイス実装、及びデバイス技術,一般)
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- SC-9-1 高出力 GaAs デバイス用低熱抵抗埋め込み PHS 構造
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD (光エレクトロニクス)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD (フォトニックネットワーク)
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
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- 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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- 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
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- 温度補償バイアス回路内蔵X帯MMIC増幅器
- 3)一電源化2〜18GHz帯モノリシック分布型増幅器(無線技術研究会(第140回))
- 一電源化2〜18GHz帯モノリシック分布型増幅器
- 高感度2.5/10Gbps InAlAsアバランシェ・フォトダイオード (特集 高周波・光デバイス)
- 発光ダイオードとレーザダイオード
- C-12-29 PLL/DLL方式による2.5Gbit/s CDR ICの開発
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