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三洋電機(株)デジタルシステム研究所 | 論文
- ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
- 多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
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- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
- ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル : 転位論に基づいて
- エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
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- SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
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- エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
- エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
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- ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
- 圧縮処理に同期したGS型ロバスト電子透かし(ディジタル情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI)
- GS方式に基づいた多重電子透かしシステム(モバイル環境におけるPerson to Person高信頼性情報流通技術)(情報通信サブソサイエティ合同研究会)
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