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ルネサステクノロジ | 論文
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 90nmCMOSプロセスを用いた6bit3.5GS/s0.9V90mWフラッシュA/Dコンバータ(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- レファレンスフィードフォワードアーキテクチャを用いた10-bit 50MS/s 300mW A/Dコンバータ ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- システムVLSI搭載用10bit, 20MS/s, 3V単一電源CMOS A/Dコンバータ
- 差動電圧/ディジタル変換回路を用いた10-bit 50MS/s 800mW A/Dコンバータ
- 分析用半導体試料作製法 (試料作製の新展開)
- 低加速ArイオンによるFIB加工ダメージ除去技術 (試料作成法の新展開)
- 位置分解型TEM-EELSによる半導体界面の解析 (先端材料への新展開)
- 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
- SOI BiC-DMOSにおけるパルスホットキャリア評価の必要性
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- CoFeB/ポリイミドハイブリッド薄膜コプレーナ線路を用いたGHz帯ローパスフィルタの試作
- CoFeB/ポリイミドハイブリッド薄膜コプレーナ線路を用いた1.8GHz帯携帯電話PA用インピーダンス整合器の低損失化の検討
- 画像の平均輝度レベル,観視者の年齢,照明環境を考慮した液晶ディスプレイの輝度制御
- AT-2-4 SoC組込み超並列プロセッサMXの概要とアプリケーション展開(AT-2.リコンフィギュラブルデバイスとCAD技術,パネルセッションチュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
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