低加速ArイオンによるFIB加工ダメージ除去技術 (試料作成法の新展開)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本顕微鏡学会分析電子顕微鏡分科会の論文
• 2006-08-29

著者

• 橋川 直人

  ルネサステクノロジ

• 朝山 匡一郎

  東工大院理工

関連論文

• 26aYK-13 収差補正走査型透過電子顕微鏡法によるシリコン結晶中ヒ素ドーパントの検出(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 分析用半導体試料作製法 (試料作製の新展開)
• 低加速ArイオンによるFIB加工ダメージ除去技術 (試料作成法の新展開)
• 位置分解型TEM-EELSによる半導体界面の解析 (先端材料への新展開)
• 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
• 25pWZ-3 Si結晶中Sbドーパント不活性クラスター構造(25pWZ X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 24aPS-37 Si結晶の高角度入射-STEM像の定量解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク