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ミノルタ株式会社研究開発本部 | 論文
- a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
- 12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード
- 5)α-Si : H/α-Si_Cx : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍(情報センシング研究会)
- a-SiC:H/c-Siヘテロ接合バンドオフセットを利用したアバランシェフフォトダイオード
- Si : H/a-Si_C_x : H傾斜超格子構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- 2-2 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオードの光電変換特性
- a-Si:H/a-Si_1-xC_x:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍
- C-3-13 自己混合効果による2ビーム集積型半導体レーザ速度計 : ファイバレンズによる照射方法の検討
- 対数変換CCDラインセンサ((固体撮像とその関連技術))
- 28-1 対数変換CCDイメージセンサのホワイトバランス調整法
- 5)対数変換CCDラインセンサ([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 対数変換CCDラインセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- リモートプラズマ法による有機シリコンからの窒化シリコン化合物薄膜の形成
- 窒素リモートプラズマCVD法によるSiCxNy薄膜の形成
- 心とファジィ
- CMOSエリアLOGセンサの画素ばらつきキャンセル方法
- 対数変換形CMOSエリア固体撮像素子(イメージセンシング技術)
- 3-4 CMOSエリアLOGイメージセンサ