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ソニー超LSI研究所 | 論文
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- 光リソグラフィーにおける反射防止技術
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- 表面反応を考慮したデポジションのモデル
- 活性化領域に埋め込まれたフローティング・ゲートを有するセルの特性 : メモリー・セルの製法とその電気的特性
- ECR CVD Tiの成膜特性とコンタクト形成
- レジスト膜厚に対する温度、湿度の影響
- ポーラスSiの電子状態と可視発光 : 第一原理的DV-X_α分子軌道計算
- 27a-E-5 単原子層グラファイト/Ni(111)系における電荷移動機構
- Si中の不純物の挙動とゲッタリング