ポーラスSiの電子状態と可視発光 : 第一原理的DV-X_α分子軌道計算
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概要
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ポーラスSiの発光は、Siを主とした物質の低次元構造や局所構造と深く関係する。これらの系を扱うには分子軌道法が良い。本論文では、ポーラスSiの発光をSiクラスタの発光とみなし、第一原理的DV-Xα分子軌道法で、Siクラスタの電子構造から発光波長を計算した。その結果、1、2、3、次元Siクラスタのいずれもが、可視発光の可能性を持つが、3次元Siクラスタが、観察されている発光波長領域の広さを最も良く説明することが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
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