NH_3添加H_2O/TEOSプラズマCVDによる層間絶縁膜形成
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概要
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多層配線が超LSIの製造に益々重要になり、良いギォプフィル特性を持った、層間絶縁膜の形成が要求されている。この点に鑑み、H_2Oとテトラエトキシシラン(TEOS)を用いたプラズマCVD法による絶縁膜が流動性を持つため、次世代の超LSIデバイスの層間膜として提案されている。しかし、この方法で作成した膜は膜中に有機成分が多いという問題がある。本報告では良好なギャップフィル特性を有し、かつ良い膜質も得られる新しいプラズマCVD法を提案する。この方法はアンモニアを触媒として添加することでエトキシ基の脱離を促進し、有機成分を抵減することができる方法である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-29