表面反応を考慮したデポジションのモデル
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概要
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CVD等による成膜形状を予測するための形状シミュレータに用いるための物理モデルとして、表面反応律速を一般的な形で表すことの出来るモデルについて考察する。表面反応律速条件下でのCVDでは、成長速度がガス圧力の上昇に従って飽和する現象が見られるが,このモデルから導かれた成長速度とガス圧力の関係はその成長速度の飽和を良く表現することが出来る。それに対してこれまでのシミュレータに用いられていたモデルでは気相拡散律速条件の下に作られており、成長速度の飽和を表現できない。さらに、WF_6とH_2を用いたタングステンのCVDの実験結果にこのモデルから導かれた成長速度とガス圧力の関係を適用して、良い一致を見た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-16