光リソグラフィーにおける反射防止技術
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概要
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より微細なデザインルールに対応するために、リソグラフィー技術の短波長化が進んでいる。現在のi線を用いたリソグラフィー技術は、将来的には波長248nmの光を用いたKrFエキシマレーザーリソグラフィー技術に変わるものと考えられている。その際の最大の問題点は、基板反射率が高まることによる定在波効果の顕著化である。本稿では、定在波効果を低減するための露光装置側での対策である広帯域露光技術、プロセス側での対策である反射防止技術に関して述べる。特に後者に関しては、反射防止膜の最適化手法、そしてSiOxNy:H(ハイドロシリコンオキシナイトライド)膜を用いた汎用性の高い反射防止技術を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-24
著者
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