変形ビームを用いた新斜入射露光法
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概要
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現状の光リソグラフィ技術における最も深刻な問題点は、デバイス作製において十分な焦点深度が取れない点である。1.0μmの焦点深度が得られる最小線幅を実用解像力とすると、通常照度のKrFエキシマリソグラフィにおける実用解像力は高々0.03μmである。実用解像力を向上させるために、ビーム整形露光法と呼ぶ新しい露光方法を開発した。同露光方法は、弱い4重極効果を使用している。これは、焦点深度を向上させるためと同時に、現行の斜入射技明技術の問題点を避けるためである。ビーム整形露光法を用いることにより、0.35μm線幅の焦点深度は45%以上向上し、KrFエキシマレーザー露光の実用解像力を0.30μmから0.24μmへと向上させる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-19
著者
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