インジウムバンプを用いた低温MCL技術の開発(高密度SiP・3次元実装技術,<特集>高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)

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概要

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• センサ/MEMSデバイスなどの耐熱性を考慮して,180℃以下の低温プロセスでもチップ間を数千本位の微細バンプで接続し,チップ間のデータ転送レートをSOC(System on Chip)[1]と遜色なく得られる微細はんだフリップチップ接続技術を開発した.本研究では,バンプサイズが直径30μm,バンプピッチが60μm,バンプ数が1402ピン程度のテストチップ上にインジウムバンプを形成し,COC(ChiP on Chip)接続時における上下チップのギャップ量及び,金属間化合物生成量を調整することにより良好な接続が得られた,また,評価用テストサンプルを用いた電気特性評価では,1バンプ当りの4端子抵抗値が約6〜10mΩと非常に安定しており,かつ数百バンプを接続したデイジーチェーン抵抗についても,オープン/ショートの発生が全くない高歩留りな接続であることを確認した[2].

• 2007-11-01

著者

• 小川 透

  ソニー株式会社 セミコンダクタカンパ二ー 超LSI研究所

• 尾崎 裕司

  ソニー株式会社半導体事業本部マイクロデバイス事業部

• 脇山 悟

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 鍋 義博

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 久米 智美

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 江崎 孝之

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 小川 透

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 江崎 孝之

  ソニー株式会社半導体事業本部マイクロデバイス事業部

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