スポンサーリンク
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門 | 論文
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 高出力数サイクルレーザーの開発
- 放射光光電子分光による重水素イオン注入V_Cr_Ti_表面の熱変性分析
- ヒト顆粒球コロニー刺激因子受容体の活性化機構
- 最近の研究から ヒト顆粒球コロニー刺激因子受容体の活性化機構
- 高出力パルスグリーンレーザーの開発